Bwrdd Cerameg Silicon Carbide

Mae Bwrdd Cerameg carbide silicon a ddefnyddir ar gyfer tanio llestri cyffredinol a chynnyrch ceramig (tymheredd o dan 1,450 °C), yn cael ei wneud gan SiC wedi'i fondio gan Silicon Oxide (Si2O3), ac yn dechnegol o'r enw "Oxide Bonded Silicon Carbide".

Anfon ymchwiliad

Cyflwyniad Cynnyrch

Cyflwyniad

Paramedr Technegol

Dadansoddiad Nodweddiadol o Ansawdd		Ocsid wedi'i fondio
		SiC (O-SiC)
	Max. tymheredd y gwasanaeth (° C)	1450
	Cyfansoddiadau Cemegol (%)	90
	Sio2	8
	Porosity Ymddangosiadol (%)	7-8
	Dwysedd Swmp (g/cm3)	2.75
	Modulus o Rupture	50
	yn RT (Mpa)	50
	1400 °C	55
	Ehangu Thermol	4.2-4.8
	yn 1000°C (10-6K-1)	4.2-4.8
	Dargludedd Thermol	13.5-14.5
	yn 1000°C (W / mK)	13.5-14.5

Mantais Cynnyrch

Mae gan y refractory SiC hwn ddargludedd thermol uchel iawn (bron i 10 gwaith yn uwch na refractory mullite) a chyfradd ymbelydredd uchel o is-goch tonfedd hir sy'n dod ag effeithlonrwydd gwres uchel iawn tuag at gynhyrchion.
O ran perfformiad costau ar gyfer tanio llestri cyffredinol a chynhyrchion ceramig, yr Ocsid Bonded SiC hwn yw'r rheithordy mwyaf gwerthfawr ac addas. Uchafswm tymheredd gwasanaeth a argymhellir o'n Plât SiC (O-SiC) yw 1,450 °C.

Offer cynhyrchu

Tagiau poblogaidd: bwrdd cerameg carbide silicon, Tsieina, gwneuthurwyr, cyflenwyr, ffatri, pris

Pâr o

Nesaf

Bwrdd Cerameg SiC

Fe allech Chi Hoffi Hefyd

Anfon ymchwiliad