Caribde Silicon Bondio Ocsid
-
![Bwrdd Cerameg Silicon Carbide]()
Bwrdd Cerameg Silicon CarbideMae Bwrdd Cerameg carbide silicon a ddefnyddir ar gyfer tanio llestri cyffredinol a chynnyrch ceramig (tymheredd o dan 1,450 °C), yn cael ei wneud gan SiC wedi'i fondio gan Silicon Oxide (Si2O3),...
Mwy -
![Plât Silicad Carbide]()
Plât Silicad CarbideMae Platiau Silicad Carbide (SiC) ar gael mewn amrywiaeth o feintiau, trwch, a siapiau i fodloni gwahanol ofynion cymhwyso. Gellir defnyddio platiau sic hefyd mewn cyfuniad â deunyddiau eraill,...
Mwy -
![Bwrdd SiC Carbide]()
Bwrdd SiC CarbideDefnyddir byrddau SiC Carbide wrth weithgynhyrchu dyfeisiau electronig pŵer uchel, yn enwedig mewn cymwysiadau electroneg pŵer ac amledd radio (RF). Mae dargludedd thermol uchel SiC a'i allu i...
Mwy -
![Dodrefn Odyn Plât Sic]()
Dodrefn Odyn Plât SicMae'r dodrefn odyn plât sic a gynhyrchir gan Huan Shang wedi'u gwneud o'r deunyddiau crai o ansawdd uchaf gartref a thramor, ac mae gan y fformiwla Siapaneaidd ddatblygedig nodweddion perfformiad...
Mwy -
![Silicon Carbide neu Ocsid bondio SiC]()
Silicon Carbide neu Ocsid bondio SiCCyflwyniad Silicon Carbide neu Alwminiwm Ocsid
Mwy
Mae Silicon Carbide Bonded Ocsid (OSiC), a elwir hefyd yn Silicon Carbide neu Alwminiwm Ocsid oherwydd ei orchudd alwminiwm, Silicon Carbide neu... -
![Platiau Silicon Carbide (SiC).]()
Platiau Silicon Carbide (SiC).Mae Platiau Silicon Carbide (SiC) yn cyfuno caledwch eithriadol, sefydlogrwydd tymheredd uchel, ymwrthedd traul, a dargludedd thermol. Mae'r platiau hyn yn ddelfrydol ar gyfer cymwysiadau...
Mwy
